Nowe tranzystory MOSFET SiC 3,3 kV o najniższej w branży rezystancji oraz diody SiC SBD o najwyższym prądzie znamionowym

Kategoria: , Tagi:
Nowe tranzystory MOSFET SiC 3,3 kV o najniższej w branży rezystancji oraz diody SiC SBD o najwyższym prądzie znamionowym

Projektanci systemów jednostek trakcyjnych (TPU), pomocniczych jednostek zasilających (APU), transformatorów półprzewodnikowych (SST), przemysłowych napędów silnikowych i rozwiązań infrastruktury energetycznej wymagają technologii przełączania wysokiego napięcia, aby zwiększyć wydajność, zmniejszyć rozmiar i wagę systemu oraz zwiększyć niezawodność.

Firma Microchip Technology Inc. ogłosiła w związku z tym rozszerzenie oferty SiC poprzez wprowadzenie na rynek tranzystorów MOSFET SiC 3,3 kV o najniższej w branży rezystancji [RDS(on)] oraz diod SiC SBD o najwyższym prądzie znamionowym, umożliwiających projektantom wykorzystanie wytrzymałości, niezawodności i wydajności technologii SiC. Wraz z rozszerzeniem portfolio produktów SiC firmy Microchip, projektanci aplikacji wyposażeni są w narzędzia do opracowywania mniejszych, lżejszych i bardziej wydajnych rozwiązań dla transportu elektrycznego, energii odnawialnej, zastosowań lotniczych i przemysłowych.

Wiele projektów opartych na krzemie osiągnęło swoje granice w zakresie poprawy sprawności, redukcji kosztów oraz innowacyjności. Chociaż wysokonapięciowe SiC stanowią sprawdzoną alternatywę dla osiągnięcia tych wyników, do tej pory dostępność urządzeń zasilających 3,3 kV SiC była ograniczona. 3,3kV układy MOSFET i SBD firmy Microchip dołączają do kompleksowego portfolio rozwiązań SiC firmy, które obejmuje matryce 700V, 1200V i 1700V, elementy dyskretne, moduły i sterowniki bramek cyfrowych.

Urządzenia zasilające Microchip 3,3 kV SiC obejmują tranzystory MOSFET o najniższym w branży RDS(on) wynoszącym 25 mOhm oraz SBD o najwyższym w branży prądzie znamionowym 90 amperów. Oba tranzystory MOSFET i SBD są dostępne w formie matrycy lub w obudowie. Nowe poziomy wydajności umożliwiają projektantom uproszczenie projektu, tworzenie systemów o większej mocy i używanie mniejszej liczby elementów połączonych równolegle w celu uzyskania mniejszych, lżejszych i bardziej wydajnych rozwiązań zasilających.

Firma Microchip wprowadziła do produkcji setki urządzeń i rozwiązań zasilających SiC w ciągu ostatnich trzech lat, zapewniając projektantom możliwość znalezienia odpowiedniego napięcia, prądu i obudowy, które będą odpowiadać ich wymaganiom aplikacji. Wszystkie tranzystory MOSFET i SBD firmy Microchip SiC zostały zaprojektowane z myślą o zaufaniu klientów i zapewniają wiodącą w branży wytrzymałość i niezawodność. Urządzenia firmy są wspierane przez kierowaną przez klientów praktykę starzenia się, która zapewnia, że ​​urządzenia będą produkowane tak długo, jak będą ich potrzebować klienci, a Microchip może je produkować.

Klienci mogą łączyć produkty Microchip SiC z innymi urządzeniami firmy, w tym 8-, 16- i 32-bitowymi mikrokontrolerami, urządzeniami do zarządzania energią, czujnikami analogowymi, kontrolerami dotykowymi oraz rozwiązaniami łączności bezprzewodowej, aby tworzyć kompletne rozwiązania przy niższym ogólnym koszcie systemu.

Narzędzia programistyczne

Rozszerzone portfolio SiC jest obsługiwane przez szereg modeli SiC SPICE kompatybilnych z analogowymi modułami symulatora MPLAB® Mindi™ firmy Microchip i referencyjnymi projektami płyt sterowników. Narzędzie Intelligent Configuration Tool (ICT) umożliwia projektantom modelowanie wydajnych ustawień sterowników bramek SiC dla rodziny konfigurowalnych sterowników bramek cyfrowych AgileSwitch® firmy Microchip.

Zapytaj o produkt