12/11/2020

Schottky Barrier Diode (SBD) o napięciu 700 i 1200V firmy Microchip z certyfikacją AEC-Q101

Kategoria: , Tagi:
Schottky Barrier Diode (SBD) o napięciu 700 i 1200V firmy Microchip z certyfikacją AEC-Q101
Ponieważ elektryfikacja pojazdów na całym świecie postępuje szybko, innowacyjne technologie zasilania, takie jak węglik krzemu (SiC), są wymagane w wysokonapięciowych systemach samochodowych, od silników po ładowanie i konwertery DC/DC . Firma Microchip Technology Inc. zaprezentowała nowo zakwalifikowane urządzenia zasilające Schottky Barrier Diode (SBD) o napięciu 700 i 1200V wykonane w technologii SiC, zapewniając projektantom pojazdów elektrycznych (EV) rozwiązania
11/06/2019

Nowe układy dyskretne MOSFET oraz SBD firmy Microchip w technologii węglika krzemu SiC

Kategoria: , Tagi:
Nowe układy dyskretne MOSFET oraz SBD firmy Microchip w technologii węglika krzemu SiC
W związku ze stale rosnącym popytem na zwiększanie sprawności energetycznej systemów, gęstości mocy oraz jego odporności w zastosowaniach motoryzacyjnych, przemysłowych, lotniczych i obronnych, firma Microchip Technology Inc., za pośrednictwem swojej spółki zależnej Microsemi, ogłosiła wprowadzenie do oferty urządzeń dyskretnych SiC, które oferują sprawdzoną wytrzymałość i zalety technologii opartej na węgliku krzemu. Uzupełnione przez szeroką gamę mikrokontrolerów i