Diody barierowe Schottkyego (SBD) z węglika krzemu (SiC) zwiększają sprawność i tworzą niezawodne zastosowania wysokiego napięcia. Bogata historia i doświadczenie firmy Microchip pozwalaj dostarczać wysoce niezawodne SBD, które są zaprojektowane z myślą o wysokiej powtarzalności możliwości przełączania indukcyjnego bez zacisku (UIS) przy prądzie znamionowym, który nie wykazuje degradacji. Diody mSiC firmy Microchip Technology zostały zaprojektowane z myślą o
Tag: Schottky
Schottky Barrier Diode (SBD) o napięciu 700 i 1200V firmy Microchip z certyfikacją AEC-Q101
Kategoria: Aktualności, Tagi: Microchip SBD Schottky AEC Q101 SiC MOSFET Power
Ponieważ elektryfikacja pojazdów na całym świecie postępuje szybko, innowacyjne technologie zasilania, takie jak węglik krzemu (SiC), są wymagane w wysokonapięciowych systemach samochodowych, od silników po ładowanie i konwertery DC/DC . Firma Microchip Technology Inc. zaprezentowała nowo zakwalifikowane urządzenia zasilające Schottky Barrier Diode (SBD) o napięciu 700 i 1200V wykonane w technologii SiC, zapewniając projektantom pojazdów elektrycznych (EV) rozwiązania